重掺碳砷化镓的光致发光研究

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摘要异质结双极晶体管（HBT）利用宽禁带材料作发射区来允许基区重掺杂以减小基区电阻且不降低直流电流增益.基区重掺杂会干扰半导体的能带结构,从而影响器件的光学性质和电学性能.Klausmeier-Brown等通过电学测量已证实:由于基区重掺杂使得注入到AlGaAs/GaAs-HBT基区的电子电流显著增大。

作者严北平罗晋生章其麟

机构地区西安电子科技大学微电子研究所西安交通大学电子工程系电子工业部第

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第24期2235-2237,共3页 Chinese Science Bulletin

基金军事电子预研基金资助项目

关键词砷化镓光致发光双极晶体管碳

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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