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多孔硅形成的实验研究与理论分析
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摘要
本文在很宽的导电范围内对多孔硅(PS)的形成与性质作了系统研究提供了四种不同掺杂的SiHF腐蚀系统的电流一电压特性。对实验结果进行了理论分析。
作者
沈桂芬
黄和鸾
高博静
刘岩
郭兴家
出处
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1994年第2期94-96,共3页
Journal of Liaoning University:Natural Sciences Edition
关键词
多孔硅
半导体材料
实验
理论分析
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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辽宁大学学报(自然科学版)
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