Al_2O_3膜钝化晶体管的快中子辐照效应

EFFECTS OF PASSIVATION TRANSISTORS WITH AI203 FILM BY FAST NEUTRONS

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摘要由于Al_2O_3钝化膜具有密度大,对Na^+离子的阻挡能力强,介电常数约为SiO_2的二倍等优点,因此,我们采用直流反应溅射法对3CK和3CG型小功率管进行了Al_2O_3膜的钝化处理,将钝化了的和未钝化的晶体管进行高能电子,快中子辐照.电子辐照结果表明:钝化晶体管比未钝化晶体管抗辐射能力提高了近半个数量级.

作者唐方元丁大沛林理彬周永

出处《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第1期115-117,共3页 Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基金国家自然科学基金

关键词晶体管三氧化二铝膜钝化快中子

分类号 TN320.405 [电子电信—物理电子学]

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参考文献2

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四川大学学报（自然科学版）

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