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Ni在Si中的分布和沉积

DISTRIBUTION AND PRECIPITATION OF Ni IN Si
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摘要 用原子吸收光谱和X射线荧光光谱,测得Ni在Si中的分布为内部浓度低,表面浓度高的U形分布。扫描电子显微镜观察到了Ni在Si表面的沉积和由此产生的晶格缺陷。表面沉积物是Si—Ni合金,其原子比为Si:Ni—2:1。 Distribution and precipitation of Ni in Si were studied by atomic absorption spectrometry (AAS), X-Ray fluorescence analysis (XRF) and scaning electron microscope (SEM) . The concentration of Ni is much higher at Si surface than in the interior. Distribution of Ni in Si is U-shaped. Precipitation of Ni and lattice defects were observed. The surface precipitation mass is Si-Nialloy that atomic ratio is Si : Ni=2 : 1.
机构地区 四川大学物理系
出处 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1989年第3期305-308,共4页 Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)
关键词 杂质分布 沉积 光谱 distribution, precipitation, silicon, atomic absorption spectrometry.
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