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利用表面形成Si_2N_2O层提高Si_3N_4陶瓷材料抗氧化性能 被引量:4

AN IMPROVEMENT ON OXIDATION-RESISTANCE PROPERTY OF Si_3N_4 CERAMICS BY FORMING A Si_2N_2O SURFACE LAYER
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摘要 根据对Si-N-O系统相图的分析,首次在Si3N4陶瓷材料表面形成Si2N2O抗氧化层。其方法是利用Sol-Gel在Si3N4陶瓷的表面涂上一层SiO2(其中含有10%的Ai2O3)涂层后,在N2气氛中,并有Si3N4粉末和SiO2粉末存在的条件下,于1273~1673K的温度下进行热处理。用XRD和XPS分析验证了Si2N2O(和/或O’-Sialon)层的存在。由于形成了Si2N2O(和/或O’-Sialon)层,Si3N4陶瓷材料在1573K的温度下氧化100h后,氧化增量从原来的0.42mg/cm2降低到0.24mg/cm2。 Based on the analysis of phase diagram of the Si-N-O system,a surface antioxidation layer of Si2N2O on the Si3N4 ceramics was firstly formed.The approach is that the Si3N4 ceramics surface is coated with a silica layer(including 10% Al2O3) using Sol-Gel method, and then heat-treated in the presence of St3N4 and SiO2 POwders under N2 atmosphere at 1273 ̄1673 K. The existence of the Si3N2O(and /or O'-Sialon)layer has been confirmed by both XRD and XPS analyses. The formation o f the surface layer of Si2N2O (and/or O'-Sialon) significantly decreases the oxidation weight-gnining of Si3N4 ceramics in 100h at 1573 K from 0. 42 mg/cm2 to 0. 24 mg/cm2.
出处 《南京化工学院学报》 1994年第4期6-11,共6页
基金 863高技术资助
关键词 氧氮化硅 氮化硅 陶瓷材料 Si_2N_2O Si_3N_4 oxidation surface treatment.
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