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电容器陶瓷击穿问题的研究

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摘要 对未经封装的电容器陶瓷图片的击穿强度E6进行了测量和分析,发现边缘效应是样品击穿的重要因素,讨论了产生边缘效应的原因及消除的可行性,对提高中高压电容器的耐压性能有参考价值。
作者 史伟
出处 《山东电子》 1994年第3期25-27,共3页 Shandong Electronics
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