硅外延层加工方法
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1程元生,薛卫,俞祚琛,夏瑞明.微分C—V法和C—V法测量硅外延层杂质纵向分布的指数模型[J].固体电子学研究与进展,1992,12(3):266-274. 被引量：1
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2张海燕,叶志镇,黄靖云,李蓓,谢靓红,赵炳辉.在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管[J].Journal of Semiconductors,2003,24(6):622-625. 被引量：5
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3吴贵斌,叶志镇,崔继锋,黄靖云,张海燕,赵炳辉,卢焕明.UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制[J].浙江大学学报（工学版）,2004,38(10):1248-1251. 被引量：6
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4李明达,陈涛,李普生,薛兵.平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控[J].电子元件与材料,2017,36(3):38-41. 被引量：9
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5王文林,闫锋,李杨,陈涛.CVD法制备高质量硅外延片的工艺研究[J].科技信息,2013(22):435-437. 被引量：3
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6李明达,李普生.150mm掺P硅衬底外延层的制备及性能表征[J].固体电子学研究与进展,2017,37(1):67-72. 被引量：8
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7叶志镇,曹青,张侃,陈伟华,汪雷,李先杭,赵炳辉,李剑光,卢焕明.UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究[J].Journal of Semiconductors,1998,19(8):565-568. 被引量：6
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8王悦湖,张义门,张玉明,张林,贾仁需,陈达.SiC epitaxial layers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier diodes[J].Chinese Physics B,2010,19(3):416-420.
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9洪云翔,张浙源.CRD的特性和硅外延层质量控制[J].半导体技术,1994,10(3):28-31. 被引量：1
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10荧辉.硅外延层的快速调温化学气相沉积[J].国外稀有金属动态,1992(15):1-2.
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