热壁MOCVD法生长Hg1—xGdxTe材料
-
1丁永庆,彭瑞伍.热壁MOCVDHg0.8Cd0.2Te制备和特性[J].科技通讯(上海),1994,8(2):46-50.
-
2义仡.ZnS/GaAs(100)的热壁外延生长[J].电子材料快报,1999(5):6-6.
-
3程开富.热壁低压化学汽相淀积的安全性探讨[J].电子工业专用设备,1989(4):51-54.
-
4程开富.热壁LPCVD系统的使用与维护[J].电子工业专用设备,1989(1):14-18. 被引量:1
-
5卧式热壁型PECVD设备[J].中国集成电路,2007,16(7):44-45.
-
6王杰,吕宏强,刘咏,王迅,姚文华,沈孝良.GaAs(100)衬底上ZnSe薄膜的热壁束外延生长[J].物理学报,1992,41(11):1856-1861.
-
7吴海.热壁LPCVD设备TEOS工艺炉管的使用与维护[J].半导体技术,2012,37(10):786-789. 被引量:2
-
8程开富.热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析[J].半导体技术,1995,11(3):38-40. 被引量:6
-
9程开富.热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的质量分析[J].上海半导体,1993(1):43-48.
-
10郑建宇,宋晓彬,张燕,李补忠.高产能四管卧式热壁型PECVD设备[J].电子工业专用设备,2010,39(7):36-38.
;