期刊文献+

二氯二氢硅的制备 被引量:1

下载PDF
导出
摘要 一、前言四氯化硅在半导体工业中作为外延淀积硅源,虽然工艺早已趋于完善,但至今存在无法克服的技术问题,如外延淀积膜不均匀等。有人从硅源的原料进行改革,即以二氯二氢硅来代替四氯化硅,经试验,有如下特点。
作者 杜继勤
出处 《低温与特气》 CAS 1989年第4期22-25,共4页 Low Temperature and Specialty Gases
  • 相关文献

同被引文献4

引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部