单电子晶体管全加器电路设计

A Full Adder Realization for Single-Electron Transistors

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摘要基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD))单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提出了一种由11个BDD)单元即22个SET构成的全加器电路单元。SPICE宏模型仿真结果验证了设计的正确性。 Based on the I-V characteristics of single-electron transistors (SETs) and the concepts of binary decision diagram (BDD), BDD unit is improved and some basic logic circuits are constructed. Therefore, a full adder, which is composed of 11 BBD units, namely 22 SETs, is proposed. The accuracy is validated by SPICE macro-model of SET.

作者马彦芬

机构地区河北工程技术高等专科学校

出处《微纳电子技术》 CAS 2005年第3期111-114,共4页 Micronanoelectronic Technology

关键词单电子晶体管二叉判别图全加器 SPICE宏模型 single-electron transistors binary decision diagram full adder SPICE macro-model

分类号 TN713 [电子电信—电路与系统]

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1WASSHUBER C. Computational single electronics [ M] .Springer-Verlag, Wien, 2001.
2ONO Y, TAKAHASHI Y, NAGASE M, et al. Si complementary single-electron inverter [J] . IEDM, 1999, 15: 367-370.
3YUKINORI O, INOKAWA H, TAKAHASHI Y. Binary adders of multigate single-electron transistors: specific design using pass-transistor logic [ J] . IEEE Trans on Nanotechnology,2002, 1 (2): 93-99.
4WASSHUBER C, KOSINA H. SIMON-A simulator for singleelectron tunnel devices and circuits [ J] . IEEE Trans on Computer, 1997, 16: 937-944.
5ASAHI N, AKAZAWA M, AMEMIYA Y.Single-electron device based on the binary decision diagram [J] . IEEE Trans Electron Devices, 1997, 44: 1109-1116.
6KIM D H, SUNG S K, KIM K R, et al.Single-electron transistors based on gate-induced Si island for single-electron logic application [J] . IEEE Trans on Nanotechnology, 2002, 1 (4): 170-175.
7UCHIDA K, MATSUZAWA K, KOGA J,et al. Analytical single-electron transistors(SET) model for design and analysis of realistic SET circuit [ J] . Jpn J Appl Phys, 2000, 39: 2321-2324.

1John Ardizzoni.数据手册和SPICE宏模型，该以何者为重？[J].电子设计技术 EDN CHINA,2009(8):13-13.
2孙铁署,蔡理,马彦芬.基于单电子晶体管的数字滤波器硬件实现[J].电路与系统学报,2006,11(6):41-44.
3孙铁署,蔡理.一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计[J].电子器件,2005,28(2):366-369. 被引量：9
4孙铁署,蔡理,陈学军.单电子晶体管及仿真实现方法[J].河北工程技术高等专科学校学报,2003(2):1-4.
5孙铁署,蔡理,陈学军.一种单电子晶体管的Spice模型[J].空军工程大学学报（自然科学版）,2003,4(6):65-67. 被引量：10
6孙铁署,蔡理.单电子晶体管的I-V特性数学模型及逻辑应用[J].微电子学,2004,34(3):269-272.
7宽温度范围的轨到轨运算放大器[J].今日电子,2005(5):103-103.
8刘劲夫,高燕梅,刘岩,王珂.非线性器件的SPICE宏模型[J].吉林工业大学学报,1996,26(2):98-101.
9半导体技术[J].中国学术期刊文摘,2008,14(12):159-165.
10陈学军,蔡理.单电子晶体管及其基本特性的仿真分析[J].青岛大学学报（工程技术版）,2003,18(2):5-8. 被引量：4

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