有机源CVD法综述──兼作本专辑前言
出处
《微电子技术》
1994年第4期1-3,共3页
Microelectronic Technology
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1金井史幸,小池淳义.采用有机源的金属层间膜的平坦化技术[J].微电子技术,1994,22(4):4-11.
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2松浦正纯,林出吉生,陈学珍.TEOS-O_3系常压CVD技术[J].微电子技术,1994,22(4):16-22.
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3冯庆,刘高斌,王万录.化学气相沉积TiO_2薄膜的XPS研究[J].光电子技术,2003,23(1):35-37. 被引量：5
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4廖常俊,刘颂豪,陈俊芳,刘剑,赵寿南,郑学仁.涡轮MOCVD技术中有机源高速均匀混合[J].发光学报,1997,18(4):366-368. 被引量：2
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5吉村正树,黎铭.TEOS-O_3常压CVD膜形成技术[J].微电子技术,1994,22(4):23-28. 被引量：1
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6真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺[J].电子科技文摘,2001,0(4):39-39.
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7电子元件复合化、三维化与埋置印制板化的动向探索[J].印制电路信息,2004(6):72-72.
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8李明月,林文长,夏雷,刘英坤,张健,杨基南,吴京波.TEOS-H_2O等离子CVD新技术[J].半导体情报,1999,36(5):30-33.
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9杨峰义,张建敏,谢伟良,朱雪田.LTE有源天线垂直扇区化性能分析[J].电信科学,2014,30(3):12-17. 被引量：1
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10李华,刘盛源.减轻微波线路K型衰落影响的方法[J].广东通信技术,1996,16(3):1-4.
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