BF_2注入和快速退火的亚微米双层多晶硅工艺

详细介绍了一种采用ＢＦ＿２注入和快速退火制作基区、ｆ＿Ｔ可达３０ＧＨｚ的亚微米双层多晶硅工艺及其器件特性。描述了晶体管的基本参数，以及其截止频率ｆ＿Ｔ和集电极与发射极间击穿电压ＢＶ＿（ｃｅｏ）之间的对应关系；与基区注入剂量、外延基区注入剂量、下集电区注入剂量和外延层厚度的函数关系。