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Effect of ion flux on recrystallization and resistance lowering in phosphorus-implanted (0001)-oriented 4H-SiC 被引量:1

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出处 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第3期599-603,共5页 中国物理B(英文版)
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参考文献24

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同被引文献1

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