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热灯丝辅助射频等离子体CVD法生长立方氮化硼膜的研究 被引量:3

STUDY ON CUBIC BORON NITRIDE FILMS DEPOSITED BY THERMAL FILAMENT ASSISTED RF PLASMA CVD
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摘要 本文对热灯丝(热电子)辅助射频等离子体CVD法制备的立方氮化硼(c-BN)薄膜进行了研究。实验结果表明,c-BN膜的质量与膜沉积条件有密切的关系。并对其结果作了简要讨论。 Cubic boron nitride(c-BN)films by thermal filament assisted RF CVDhave been studied. Experimental results have shown that the quality ofc-BN films closely depends on the deposition conditions of the films,Theresults have been discussed briefly.
机构地区 兰州大学物理系
出处 《微细加工技术》 1994年第2期47-50,共4页 Microfabrication Technology
基金 国家自然科学基金
关键词 射频等离子体 氮化硼薄膜 热灯丝 C-BN薄膜 RF plasma CVD cubic boron nitrid films infrared absorption
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