用ICB法制备C_（60）薄膜

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摘要用ＩＣＢ法制备Ｃ＿（６０）薄膜１９９０年以来，对作为新材料的Ｃ＿（６０）展开了广泛的研究工作，特别是利用掺杂碱金属来控制电导率，制作临界温度Ｔ＿ｃ＝１８Ｋ（Ｋ＿３Ｃ＿（６０）），３３Ｋ（ＲｂＣｓ＿２Ｃ＿（６０））的超导体，用它制作新电子器件的希望很大...

作者吴明华

出处《微细加工技术》 1994年第3期75-76,共2页 Microfabrication Technology

关键词 C60薄膜薄膜离子团束法电子器件

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微细加工技术

1994年第3期

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