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磁光盘的介质膜材料AlN、AlSiN薄膜的电子显微分析

Electron Microstructure Analysis of AIN and AISiN films
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摘要 本文研究了磁光盘介质薄膜──AlN和AlSiN薄膜的电子显微结构.通过透射电镜分析了AlN薄膜的多晶结构和C轴垂直取向;通过X射线衍射分析、透射电镜分析和X射线光电子能谱分析,确定了AlSiN薄膜并不是多晶AlN和SiN薄膜的简单组合,而是形成了稳定的非晶特征结构.且AlSiN薄膜由于其非晶结构而比AlN薄膜的磁光克尔效应增强效果更优越. This paper reports the microstructure of AIN and AJSiN films-the dielectric films of magnetooptical disk. The TEM analyses of the AIN films show their polycrystalline structure and c-axis perpen perpendicular orientation. The XRD, TEM and XPS analyses of the AlSiN films show that the AlSiN films arenot simple mixture of the AlN and SiN, but have their characteristic amorphous st ̄ure. As a resultof amorphous structure, the Kerr effect enhancement of AlSiN film is better than that of AlN film.
出处 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期249-252,共4页 Journal of Inorganic Materials
关键词 薄膜 电子显微结构 磁光盘 磁介质 AlN films,AlSiN films,microstructure
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参考文献1

  • 1缪向水,华中理工大学学报,1994年,22卷,3期

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