高保真大动态线性功率放大器
出处
《无线电》
北大核心
1994年第11期13-14,共2页
Hands-on Electronics
-
1尹成群,李锦林.用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲[J].电子测量与仪器学报,1991,5(3):1-7.
-
2吴刚.全VMOSFET高保真功率放大器[J].电子世界,1991(11):4-6.
-
3潘志斌,徐国怡.功率VMOSFET优值Ron/BV的温度特性[J].半导体杂志,1991,16(4):5-10.
-
4姚作宾,高文洪,王绍钧.电子束偏放电路的计算机辅助设计[J].微细加工技术,1996(1):17-22. 被引量:1
-
5Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能[J].半导体信息,2016,0(2):8-9.
-
6冯传岗.论音响设备的配接及信号传输的高保真[J].演艺设备与科技,2007(3):37-43. 被引量:4
-
7郭建军.一种新型脉冲调制器的设计[J].探测与定位,2004,14(2):65-69.
-
8杨石玲.新型脉冲调制器的设计[J].火控雷达技术,2002,31(1):47-51. 被引量:4
-
9张兆林,李桂昌.VMOS场效应管开关电源[J].山东电子,1994(4):26-28.
-
10潘志斌,徐国治.功率VMOSFET阈电压Vt的温度效应[J].西部电子,1990(2):29-32.
;