一种制备金属硅化物的离子束新技术

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摘要一种制备金属硅化物的离子束新技术柳百新，朱德华，卢红波（清华大学材料科学与工程系，北京１０００８４）随着目前超大规模集成电路的迅速发展，要求器件尺寸按比例缩小，线宽也要求相应变窄。而多晶硅的薄层电阻极限为３０－６０／口，因此器件尺寸的进一步减小就被栅...

作者柳百新朱德华卢红波

机构地区清华大学材料科学与工程系

出处《物理》 CAS 北大核心 1994年第2期102-103,共2页 Physics

关键词金属硅化物离子注入硅化物

参考文献2

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物理

1994年第2期

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