用等离子体沉积法生长的纳米硅膜及其物性
被引量：2
摘要
介绍了纳米硅膜的ＰＥＣＡＤ生长方法，样品的结构特征和结构参数的测量方法。根据现有的实验数据，讨论了纳米硅样品的电学性质和光学性质，简要评述了纳米硅研究的方向和进一步所要做的工作。
出处
《物理》
CAS
北大核心
1994年第11期676-680,696,共6页
Physics
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