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绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法
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摘要
编号:0503237 该发明专利是一种在绝缘体的硅衬底上氧化铪和氧化铝混合结构新型高介电常数栅介质材料的制备方法,属于微电子与固体电子学中介质材料的制造工艺。
出处
《科技开发动态》
2005年第3期43-43,共1页
R&D Information
关键词
绝缘体
硅衬底
混合结构
栅介质材料
制备方法
真空电子技术
分类号
TN104.2 [电子电信—物理电子学]
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