绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法

编号：0503237 该发明专利是一种在绝缘体的硅衬底上氧化铪和氧化铝混合结构新型高介电常数栅介质材料的制备方法，属于微电子与固体电子学中介质材料的制造工艺。