可获得纳米T型栅的高电子迁移率晶体管的制作工艺

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摘要编号：0503252 该发明专利是一种可获得纳米T型栅的高电子迁移率晶体管的制作工艺。

出处《科技开发动态》 2005年第3期47-47,共1页 R&D Information

关键词高电子迁移率晶体管纳米发明专利编号制作工艺

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2005年第3期

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