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LPE法GaAlAs/GaAs多层光阴极材料的研制与性质
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1
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摘要
应用LPE法成功地制出了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs多层结构材料,讨论了生长过程中铝、锗等元素的行为,测量了载流子浓度分布、少子扩散长度等电学性质,井观察了材料表面形貌。
作者
励翠云
彭瑞伍
韦光宇
徐晨梅
机构地区
中国科学院上海冶金研究所
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期51-56,共6页
Chinese Journal of Rare Metals
基金
中国科学院资助
关键词
GaA1As/GaAs
液相外延生长
研制
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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稀有金属
1994年 第1期
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