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半导体缺陷工程 被引量:7

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摘要 介绍了缺陷工程的概念,描述了几种重要半导体缺陷,如表面缺陷、界面缺陷、偏离化学配比等。提出了正面利用缺陷以提高器件的成品率和可靠性。重点阐述了化合物半导体中的位错行为及降低位锗的工艺技术,对与半绝缘GaAs研究密切相关的EL2工程和ITCGaAs(倒转热转变)也作了简单介绍。
作者 邓志杰
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期143-149,共7页 Chinese Journal of Rare Metals
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