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半导体缺陷工程
被引量:
7
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摘要
介绍了缺陷工程的概念,描述了几种重要半导体缺陷,如表面缺陷、界面缺陷、偏离化学配比等。提出了正面利用缺陷以提高器件的成品率和可靠性。重点阐述了化合物半导体中的位错行为及降低位锗的工艺技术,对与半绝缘GaAs研究密切相关的EL2工程和ITCGaAs(倒转热转变)也作了简单介绍。
作者
邓志杰
机构地区
北京有色金属研究总院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期143-149,共7页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
半导体材料
缺陷工程
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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