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InP系量子阱结构的MOVPE生长
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摘要
评述了ＭｏＶＰＥ法生长的ＩｎＰ系量子阱结构材料，重点讨论了ＬＰ一ＭＯＶＰＥ法生长ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构时的组份、阱宽、界面控制及生长中断对材料性能的影响。
作者
段树坤
机构地区
中国科学院半导体研究所
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期305-312,314,共9页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
GAINAS/INP
量子阱结构
LP-MOVPE
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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稀有金属
1994年 第4期
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