AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管

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摘要以ＭｏｃｖＤ材料试制了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子共振隧穿二极管，其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报道了有ＡＶ＿（０．１４）Ｇａ＿（０．８６）Ａｓ垫的双势垒结构器件性能，有垫器件性能较无垫常规器件改进很大。

作者陈培杖李祖华徐菊仙安

机构地区南京电子器件研究所

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期284-288,共5页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词 AlAs/GaAs 隧穿二极管双势垒

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稀有金属

1994年第4期

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