摘要
提高 LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的 LDMOS击穿电压模式 ,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响 。
In order to impro ve the breakdown voltage of a high-volta ge LDMOS,the field plate structure must be used.The paper has given a breakdown voltage model for a high-voltage LDMOS a fter adding a field plate.We have gotten relationships between the breakdown vol tage and field plates sizes.From this analys is,a suitable breakdown voltage expressi on is obtained.Finally,the theo retical prediction is well verified by e xperimental data.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期20-22,107,共4页
Research & Progress of SSE
基金
国家 8 63计划项目 :高压驱动集成技术的研究 (2 0 0 2 AA1Z15 5 0 )
安徽省教育厅重点项目 (2 0 0 3 kj0 0 12 d)
