摘要
电弧放电法实验制备了碳化硅纳米丝。在6mm的石墨棒中心钻一个4mm的孔 ,将 5 0at.%C +5 0at.%SiO2 的粉末充分混合 ,填入其中作电弧放电阳极 ,水冷铜靶作阴极 ,放电电流 70A ,收集放电后产生的粉末 ,用XRD、激光拉曼光谱、SEM、TEM进行分析。SEM和TEM照片表明其中有大量的实心纳米丝 ,其直径 30nm~ 5 0nm ,长度 5 μm以上 ,XRD分析表明其为 β SiC ,拉曼光谱中在 785cm-1有一个尖锐峰。我们认为碳纳米管与气态的SiO2 反应生成了SiC纳米丝。
SiC nanowires, synthesized by arc discharge, were characterized by X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM), and transmission electron microscopy (TEM). The results show that large amount of β-phased, solid SiC nanowires, 5 μm long and 30 nm - 50 nm in diameter, formed. A peak at 785 cm-1 of the Raman spectrum was observed. We suggest that reaction of carbon nanotubes and hot gaseous SiO2 results in formation of SiC nanowires.
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期30-32,共3页
Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
关键词
纳米丝
电弧放电法
TEM
SIO2
碳化硅
SEM
阴极
水冷
XRD
粉末
Carbon nanotubes
Electric arcs
Nanostructured materials
Raman spectroscopy
Scanning electron microscopy
Silica
Transmission electron microscopy
X ray diffraction analysis