价格突破垄断 应用更加广泛
出处
《电子设计应用》
2005年第4期28-28,30,32-34,36,69,共7页
Electronic Design & Application World
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1陈宏林(编译).东芝2GB NAND型闪存芯片即将供货[J].微电脑世界,2007(2):17-17.
-
2陆纪权,侯文永.反编译程序图设计与控制流分析[J].计算机工程,1992,18(6):33-37. 被引量:1
-
3姚会.Nand闪存达到4Gb[J].微电脑世界,2004(8):30-30.
-
4周慧.三星推出8GB NAND型闪存[J].半导体信息,2004,0(2):30-30.
-
5谢亚立.浅析闪速存储器接口的类型与应用[J].电子世界,2012(21):92-93.
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6美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存[J].光机电信息,2008(6):59-59.
-
7三星、东芝、Hynix列NAND闪存市场前三[J].电子元器件应用,2005,7(12):130-130.
-
8海力士成功开发出采用3重单元技术的32GbitNAND型闪存[J].机电工程技术,2008,37(7):7-7.
-
9宗洪亮.对决无线小路由器[J].网络运维与管理,2015,0(1):71-73.
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10TDK推出支持串行ATA6Gbps的高可靠性CFast卡CAS1B系列[J].电源技术应用,2015,0(11).
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