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硅直接键合局部应变的X—射线双晶衍射研究
被引量：
1
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摘要
硅直接键合工艺(SDB)自1986年Shimbo提出以来,日益受到国内外的重视。SDB与IC工艺兼容且具灵活的优点,为硅传感器提供了一种新的加工手段。对力学量传感器而言,传感原理是通过外加负载在硅中产生应变,而硅直接键合工艺是否引入新的应变。
作者
黄庆安
张会珍
陈军宁
童勤义
机构地区
东南大学微电子中心
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期184-186,共3页
Chinese Journal of Scientific Instrument
关键词
硅传感器
硅直接键合
X线双晶衍射
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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仪器仪表学报
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