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镍包硅导电纳米导线
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摘要
美国哈佛大学制成了用于计算机电路的导电纳米线,这是一种直径20m的硅线外包以镍在550℃加热制成的。这种硅化镍线的电导率非常高。如果仅将部分硅线包上镍,则可制成一部分是硅,而另一部分是镍一硅的导线。这种导线可用于当前半导体硅器件的连线。
作者
杨英惠
出处
《现代材料动态》
2005年第4期7-7,共1页
Information of Advanced Materials
关键词
纳米导线
导电
包硅
美国哈佛大学
计算机电路
纳米线
制成
电导率
硅化镍
硅器件
半导体
硅线
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
TM243 [一般工业技术—材料科学与工程]
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现代材料动态
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