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美光抢进Flash市场与三星、东芝构筑三足鼎立之势

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摘要 日本经济新闻报导指出,美国存储器大厂美光奋起直追,将与三星、东芝争食闪存(Flash)市场大饼。美光预测,2005年该公司DRAM百万位需求年增长率约500%,在多功能手机的趋势下,SRAM已逐渐被低功率SDRAM与DDR所替换,就利润而言,SDRAM与DDR产品远比标准型DRAM要高,未来美光除了分散DRAM产能以外,还将以手机市场为中心,规划整体产品组合。
出处 《电子测试(新电子)》 2005年第3期4-4,共1页 Micro-Electronics
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