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安森美推出8款新型低压沟道MOSFET
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摘要
安森美半导体日前推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻(RDS（on）)，整体电源电路效率比其他同类封装的解决方案提高30％。
出处
《电子测试（新电子）》
2005年第3期80-81,共2页
Micro-Electronics
关键词
MOSFET
低压
推出
RDS(ON)
安森美半导体
解决方案
电源电路
P沟道
N沟道
类封装
效率比
源极
器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TM714.3 [电气工程—电力系统及自动化]
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