半导体硅材料用的超高纯硅烷

本文用一种新开发的A型离子交换沸石来提纯甲硅烷,该沸石能吸附硅烷中的磷化氢。硅烷中磷化氢的含量通过硅烷分解所得硅的电阻率来确定。对硅的两种样品,即在硅衬底上的外延薄膜和单晶硅棒作了分析。在室温下,p型硅棒的电阻率在1×10~4～8×10~4Ω-cm之间,它与提纯的条件有关。一个用这种硅制造的表面势叠型的固体检测器,以X-射线和从^(207)Bi蜕变的电子流进行验证,表现出了非常好的特性。借助于气相色谱技术,用一模拟柱对吸附柱的特性进行研究。由此得出的最佳条件作为吸附柱的操作条件。