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MOCVD工艺中使用的特种气体

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摘要一、引言金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。

作者徐稼迟沈能珏

出处《低温与特气》 CAS 1985年第4期37-39,共3页 Low Temperature and Specialty Gases

关键词 MOCVD工艺特种气体化学气相淀积法 MOCVD法化合物半导体金属氢化物金属有机物挥发性相类似硅外延

分类号 TN365 [电子电信—物理电子学] TQ117 [化学工程—无机化工]

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低温与特气

1985年第4期

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