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最弱受约束电子势模型下GaⅡ离子Rydberg态能级研究 被引量：1

A study of Rydberg energy levels of GaⅡ ions in the weakest bound electron potential model
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摘要 在最弱受约束电子势模型理论框架下,将Martin关于单价原子量子亏损的公式推广到了多价原子(离子)系统.本文依此计算了GaⅡ离子的4sns3S1和4sns1S0的两个类光谱能级系列的几个Rydberg态,结果与实验值符合较好,达到了较高的精度. Under the WBEPM,the Martin formula about the quantum defect of single valence atoms is extended to many-valence atoms system.The spectrum series 4sns^3S_1 and 4sns^1S_0 of GaⅡ ions are calculated by means of the method,the calculated values are in good agreement with the experimental results.
作者 程勇 张国营 薛刘萍 王明泉 张学龙
机构地区 中国矿业大学理学院 商丘师范学院物理系 上海理工大学医疗器械学院
出处 《商丘师范学院学报》 CAS 2005年第2期22-24,共3页 Journal of Shangqiu Normal University
基金 上海市自然科学基金(03ZR14071)资助项目
关键词 最弱受约束电子势模型 GaⅡ离子 Rydberg系列能级 量子数亏损 WBEPM GaⅡ ions Rydberg energy levels quantum number defect
分类号 O562.3 [理学—原子与分子物理]
  • 相关文献

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同被引文献11

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引证文献1

二级引证文献2

商丘师范学院学报
2005年 第2期

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