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等离子生长氧化硅的电性能

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摘要在400℃及低于400℃的温度下用氧/氯等离子气体在硅上生长了氧化物。研究了氧化物的电击穿强度和低温热退火后的界面及体内特性。业已表明,对于器件应用来讲,等离子生长氧化物的电性能是绰绰有余的。

作者 S.Taylor 陈凌云

出处《微电子学》 CAS CSCD 1989年第1期53-55,共3页 Microelectronics

关键词等离子氧化硅电性能氧化硅薄膜

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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微电子学

1989年第1期

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