自对准硅化物器件的结漏电分析

要成功地把自对准硅化钛工艺用于重复性好、成品率高的器件制作过程中,就必需把硅化物工艺引起结漏电减至最低程度。研究了硅化钛浅结二极管的微细结构和微细化学组份以及它们与结漏电的关系,采用几种分析技术建立了结漏电与结构的直接关系。研究发现,漏电流大的主要原因是硅化钛层下的p^+/n结消失和在二极管周围形成了硅化钛/n硅肖特基接触。作者还确定了制作漏电小的TiSi/p^+/n二极管的工艺参数。