期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
深耗尽SOI MOSFET的短沟道效应
下载PDF
职称材料
导出
摘要
用二维分析模型和计算机模拟研究了深耗尽绝缘层上硅MOSFET中的短沟道效应。通过耗尽膜的垂直电场对穿过源和漏区的水平电场有很大的影响,减薄硅膜的厚度就可以大大地削弱短沟道效应。
作者
K.Konrad Young
宋湘云
机构地区
麻省理工学院林肯实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第5期92-95,共4页
Microelectronics
关键词
SOI
MOSFET
短沟道效应
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
Duvvu.,C,桂翔.
MOS FET短沟道效应入门[J]
.电子产品可靠性与环境试验,1990(6):28-32.
2
张杰,柯导明,徐太龙,马强,陈军宁.
叠栅MOSFETs的结构设计与研究[J]
.电子技术(上海),2010(6):81-83.
3
李龙镇.
消除锁相环中由于短沟道效应导致的抖动[J]
.电子测试,2015,26(2X):25-26.
4
李岚,李莉.
通过IPv6与IPv4的对比谈IPv6的新特性[J]
.电脑学习,2001(2):32-33.
5
J.G.Fossum,徐玉辉.
SOI MOSFET电路模拟的模型选择[J]
.微电子学,1989,19(2):50-54.
6
龚仁喜,蒋超,邓艳.
深亚微米SOIMOSFET阈值电压特性研究[J]
.广西大学学报(自然科学版),2004,29(z1):63-65.
7
夏日噪音机[J]
.商业周刊(中文版),2011(9):80-80.
8
谭思昊,李昱东,徐烨峰,闫江.
超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响[J]
.东北石油大学学报,2017,41(1):117-122.
被引量:1
9
彭力,洪根深.
部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应[J]
.微电子学,2005,35(6):597-599.
被引量:3
10
单超颖,魏惠芳,徐岩峰.
下一代互联网城市的发展及关键技术[J]
.中小企业管理与科技,2015,0(7):309-310.
被引量:1
微电子学
1989年 第5期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部