灯区熔再结晶SOI薄膜上制作的器件的电性能

采用常规CMOS硅栅工艺的4英寸圆片又形成批量生产能力。它们的电参数 可用于研究与灯区熔再结晶( Lamp ZMR)技术相关的问题的影响,其结果令人满 意。有效沟道长度为1.7μ的沟增强型晶体管阈值电压分布集中,其平均值约为0.9V,标准偏差为61mV。 p沟和n沟晶体管的漏电流保持在0.1pA/μm沟宽以下。已制成有效沟长为1.7μm的249级环形振荡器,其传输延迟时间为0.5ns。