期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

绝缘体上硅MOSFET的特性

下载PDF

导出

摘要本文介绍了绝缘物上硅(SOI)MOS晶体管预计具有的一些特性。简单的定性模型分析结果表明,如果采用全耗尽薄膜,可以改善各种参数,如亚阈值斜率、热电子效应和短沟道效应。

作者 Jean-Pierre Colinge 张纯蓓

出处《微电子学》 CAS CSCD 1989年第5期99-103,共5页 Microelectronics

关键词绝缘体上硅 MOSFET器件特性

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1曹阳.绝缘体上硅工艺的最新进展[J].微电子学,1991,21(4):44-45.
2蔡永才.发展中的绝缘体上硅材料技术[J].微电子学,1989,19(5):1-7. 被引量：1
3SOI器件应用展望[J].微电子学,1995,25(1):63-64.
4夏立生.抓住机遇发展SOI技术[J].微电子学,1993,23(2):8-14. 被引量：1
5金卫,郭戍生.大功率IGBT与MOSFET器件的测试[J].国外电子测量技术,1997,16(6):24-26.
6Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件[J].电子工程师,2002,28(10):16-16.
7章从福.在(110)单晶硅上获得高性能nFET[J].半导体信息,2008,0(3):7-8.
8肖德元,夏青,陈国庆.MOSFET器件回顾与展望(上)[J].半导体技术,2006,31(11):805-809. 被引量：3
9超小体积功率MOSFET[J].国外电子元器件,2007(1):74-74.
10Wonsuk Choi,Dongkook Son.新型超级结MOSFET器件在PFC应用中的优势[J].今日电子,2012(11):39-41.

微电子学

1989年第5期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部