用于高速A/D转换器的GaAs HJBT和硅双极工艺的比较

本文研究了在全并行A/D转换器领域中GaAlAs/GaAs异质结双极晶体管(HJBT)工艺的应用前景。为了预测HJBT的前景,与用现代硅工艺可达到的最好性能水平进行了比较。用每一种工艺研制了最佳的锁存比较器,并且进行了SPICE模拟,以便决定其能达到的最大采样率和大信号模拟带宽。在我们进行上述两种工艺的比较时,有这样的一些工艺模式可选用,一种是近期开发阶段的标准的1μm双极工艺与4μmHJBT工艺;另一种是早期开发阶段改进的1μm硅双极工艺与2.5μmHJBT工艺。这样使得随时间流逝的性能改善趋势亦可进行比较。