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氯化氢热处理对硅少子产生寿命的影响
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摘要
本文主要介绍,在热氧化时气氛中加入百分之几的HCl会使少数载流子的寿命有咀显改善。并较系统地阐述了HCl含量、热处理温度和时间、氧气和氮气气氛等因素对硅少子产生寿命的影响。实验结果表明,寿命的畏高在1150℃左右最为有效。
作者
朱建生
机构地区
中科院上海冶金研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989年第6期14-15,共2页
Microelectronics & Computer
关键词
氯化氢
热处理
硅少子
寿命
分类号
TN304.120 [电子电信—物理电子学]
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微电子学与计算机
1989年 第6期
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