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氯化氢热处理对硅少子产生寿命的影响

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摘要 本文主要介绍,在热氧化时气氛中加入百分之几的HCl会使少数载流子的寿命有咀显改善。并较系统地阐述了HCl含量、热处理温度和时间、氧气和氮气气氛等因素对硅少子产生寿命的影响。实验结果表明,寿命的畏高在1150℃左右最为有效。
作者 朱建生
出处 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第6期14-15,共2页 Microelectronics & Computer
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