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半绝缘多晶硅在MOS集成电路上的应用

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摘要半绝缘多晶硅(SIPOS)是一种掺氧多晶硅,其电阻率一般在10~8～10^(10)Ω·cm范围。在半导体器件中,用它取代SiO_2作钝化膜具有良好的钝化作用。本文主要介绍SIPOS钝化技术在MOS集成电路上的应用。

作者王云珍潘尧令刘一彬宋非迟

机构地区华东师范大学上海无线电十四厂

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第6期12-13,共2页 Microelectronics & Computer

关键词 MOS集成电路半绝缘多晶硅

分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子学与计算机

1989年第6期

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