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A percolation study of RTS noise in deep sub-micron MOSFET by Monte Carlo simulation 被引量:2

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出处 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第4期808-811,共4页 中国物理B(英文版)
  • 相关文献

参考文献8

  • 1Tsai M H and Ma T P 1994 IEEE Trans. Electron Dev.41 2061.
  • 2Shi Z M, Mieville J P and Dutoit M 1994 IEEE Trans.Electron Dev. 41 1161.
  • 3Butler Z C, Vasina P and Amarasinghe N V 2000 IEEE Trans. Electron Dev. 47 646.
  • 4Tsai M H, Ma T P and Hook T B 1994 IEEE Electron Dev. Left. 15 504.
  • 5Simeon E, Dierickx B, Claeys C L and Declerck G J 1992 IEEE Trans. Electron Dev. 39 422.
  • 6Ewout P V 2000 IEEE Trans. Electron Dev. 47 2146.
  • 7Deen M J 2002 IEEE Trans. Electron Dev. 49 409.
  • 8Derrida B and Vannimenus J 1982 J. Phys. 15 557.

同被引文献20

引证文献2

二级引证文献3

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