摘要
本文报道了利用自设计的PECVD系统成功地在光刻胶上淀积SiO_2,满足了在微细加工技术的三层胶工艺中对中间介质层的要求。淀积温度为200~280℃,反应气体是SiH_4—N_2O体系。
This paper deseribes PECVD SiO_2 experiment on resist films.The deposited SiO_2 filme serves as the middle layer in trilayet resist process used in hight resolution.lithography. The tomperture is 200~280℃ & The reactive gases are SiH_4 and N_2O for the PECVD SiO_2 process.
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989年第10期4-5,共2页
Microelectronics & Computer