低能As_2^+注入与快速退火形成n^+—p超浅结的研究

Low Energy As_2^+ Implantation and Rapid Thermal Annealing For Forming Shallow Junctions

本文研究了As_2^+注入硅的辐射损伤及退火行为。以能量为10～30keV、剂量为1×10^(13)～5×10^(15)cm^(-2)的As_2^+注入p型〈100〉硅形成浅掺杂层,用快速退火激活注入杂质并控制其再分布。结果表明,可以获得结深为700～1500 (?)的n^+—p浅结,相应的薄层电阻值为60Ω/口。