灌封CMOS/SOS电路的抗辐照性能探讨

A Study on the Performance of Radiation Tolerance for an Embedded CMOS/SOS IC

开帽器件借助于软X射线、可见光和紫外光相结合的辐照实验,可鉴别工艺对器件抗辐照性能的影响。实验结果表明:利用适当填料对器件进行灌封,可改善器件的抗辐照性能。