用CO和CH_4作为碳气源生长金刚石的比较

THE COMPARISON OF DIAMOND GROWTH IN DIFFERENT CARBON SOURCE USED CO AND CH_4

下载PDF

导出

摘要使用一氧化碳作碳源气体，用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅上制备金刚石薄膜，分析氧对金刚石生长的影响。 Artifical diamond thin film were synthesized from carbon monoxide-hydrogen rnixed gas in a microwave plasma system on a single crystal silicon substrate. The influence of oxygen on diamond growth were analysed.

作者李奇志钱三德袁磊

机构地区中国科学院北京真空物理实验室

出处《真空科学与技术》 CSCD 1994年第3期196-199,共4页 Vacuum Science and Technology

关键词 CVD 金刚石薄膜一氧化碳甲烷 Microwave plasma, CVD, Diamond thin film, Oxygen

分类号 O484.1 [理学—固体物理]

引文网络
相关文献

1邹广田,于三.物理学与新型(功能)材料专题系列介绍(V) 金刚石薄膜及其应用[J].物理,1992,21(5):280-285. 被引量：2
2王少阶,Y.C.JEAN.用正电子湮没寿命谱研究凝聚态甲烷的温度关系[J].物理学报,1990,39(7):1122-1127.
3清波.在甲烷—氢和氮混合物中用MPACVD沉积金刚石薄膜[J].等离子体应用技术快报,2000(4):6-8.
4楼祺洪,叶震寰,高鸿奕.准分子激光在甲烷中受激喇曼散射的阈值和光谱特性研究[J].应用激光,1993,13(1):1-4. 被引量：2
5张贵锋,韩栋.CH4／Ar射频等离子体气相沉积碳—金刚石薄膜的结构分析[J].薄膜科学与技术,1993,6(2):140-145.
6刘月兰.加硼金刚石膜的制造方法[J].金刚石与磨料磨具工程,1999,19(2):42-43.
7应萱同.第2届亚洲化学气相沉积大会简介[J].国际学术动态,2001(5):52-52.
8袁建民.利用球模型计算的能量在0.1—10.0电子伏的电子被CH_4和SiH_4分子弹性散射的截面[J].原子与分子物理学报,1990,7(2):1399-1412.
9曹传宝,喻维杰,孟广耀,彭定坤,李凡庆.微波等离子体化学气相淀积ZrO_2薄膜的表面形貌研究[J].中国科学技术大学学报,1992,22(1):111-118.
10封继康,田维全,滕启文,孙家钟.C_(28)H_(4-n)Cl_n(n=1～3)与CH_(4-n)Cl_n(n=1～3)的结构和电子光谱的理论研究[J].化学学报,1996,54(7):644-653.

真空科学与技术

1994年第3期

浏览历史

内容加载中请稍等...

用CO和CH_4作为碳气源生长金刚石的比较

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史