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能实现光电高速转换的硅二极管研制成功
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摘要
一般情况下,硅发光二极管与InP(磷化铟)等制成的化合物半导体相比,光吸收率及载流子迁移率较低,因此很难提高灵敏度。而此次通过在传感器上部设置银制天线,利用表面等离子体谐振现象生成了很强的近场光,从而解决了这一问题。另外,该产品通过大幅减小元件体积,降低了寄生电阻和寄生电容,从而实现了可与20GHz化合物半导体媲美的高速特性。
出处
《中小企业科技》
2005年第5期10-10,共1页
关键词
研制成功
硅二极管
高速转
化合物半导体
光电
硅发光二极管
载流子迁移率
表面等离子体
光吸收率
高灵敏度
谐振现象
寄生电容
寄生电阻
高速特性
磷化铟
InP
传感器
近场光
天线
元件
分类号
TN315.2 [电子电信—物理电子学]
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