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SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响 被引量：1

Effect of SOI Thickness on Parameters of RESURF LDMOS 
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摘要 对SOI LDMOS进行了建模,得到了器件各主要参数的最优值与 SOI硅膜厚度的关系式.以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem 4对器件进行了模拟,得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随 SOI硅膜厚度的变化曲线,这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义. The SOI LDMOS is modeled.The correlations between several leading parameters and the SOI thickness are presented.The optimum impurity concentration and the maximum breakdown voltage are obtained by numerical analysis using Medici and Tsuprem 4.All these results are important for the design and fabrication of the device.
作者 孙智林 孙伟锋 吴建辉
机构地区 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期536-540,共5页 半导体学报（英文版）
基金 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA1Z1550 2003AA1Z1400)~~
关键词 LDMOS RESURF SOI LDMOS RESURF SOI
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献14

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共引文献16

引证文献1

Journal of Semiconductors
2005年 第3期

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